PL EN


Preferences help
enabled [disable] Abstract
Number of results
Journal
2015 | 64 | 2 | 211-220
Article title

Półprzewodnikowe azotkowe źródła światla - nagroda Nobla z fizyki w 2014 r. dla Isamu Akasaki, Hiroshi Amano i Shuji Nakamury

Content
Title variants
EN
Semiconductor nitride light sources: 2014 Nobel prize in physics to Isamu Akasaki, Hiroshi Amano and Shuji Nakamura
Languages of publication
PL EN
Abstracts
PL
Podstawy fizyczne działania półprzewodnikowych przyrządów emitujących światło, tzn. diod laserowych i elektroluminescencyjnych zostały omówione w zwięzły sposób. Historyczny rozwój badań nad zastosowaniem półprzewodnikowych źródeł światła, w tym źródeł światła czerwonego został zarysowany. Trudności i rozwój półprzewodnikowych źródeł światła w ostatnim półwieczu został omówiony. Przełomowy wkład Isamu Aksaki, Hiroshi Amano i Shuji Nakamuro w rozwój badan i technologii diod opartych o azotki metali grupy III, który doprowadził do powstania źródeł światła niebieskiego, zielonego i fioletowego w latach 90. XX w., i został uhonorowany Nagrodą Nobla z fizyki w 2014 r., został szczegółowo opisany. Dalszy rozwój dziedziny do chwili obecnej i jej perspektywy zostały zarysowane. Rola polskich ośrodków naukowych w tej dziedzinie, znacząca w skali światowej, została również lakonicznie omówiona.
EN
Physical foundations of semiconductor light emitting devices, i.e. laser diodes (LDs) and light emitting diodes (LEDs), and history of studies concerning application of semiconductor light sources, including sources of red light, are shortly outlined. The seminal contributions of Isamu Akasaki, Hiroshi Amano and Shuji Nakamura to the investigations and applications of the group III metal nitrides that led to emergence of blue, green and violet light sources in the last decade of XX century, honored by 2014 Nobel Prize in Physics, are presented in detail. Further developments in this area up to the present day and future perspectives, including the important role played therein by Polish research institutions, are also sketched.
Keywords
Journal
Year
Volume
64
Issue
2
Pages
211-220
Physical description
Dates
published
2015
Contributors
  • Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa, Polska
  • Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matematycznego i Komputerowego, Uniwersytet Warszawski, Pawińskiego 5a, 02-106 Warszawa, Polska
  • Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa, Polska
  • Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa, Polska
author
  • Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa, Polska
  • Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa, Polska
author
  • Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa, Polska
  • Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa, Polska
  • Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa, Polska
References
  • Amano H., Sawaki N., Akasaki I., Toyoda Y., 1986. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer.Appl. Phys. Lett. 48, 353-355.
  • Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I., 1989. p-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI).Jap. J. Appl. Phys. 28, L2112-L2114.
  • Dupuis R. D., Dapkus P. D., Holonyak Jr. N., Rezek E. A., Chin R., 1977. Room-temperature laser operation of quantum well Ga(1-x)AlxAs-GaAs laser diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition. Appl. Phys. Lett. 31, 466-468.
  • Dwilinski R., Doradzisnki R.,Garczynski J., Sierzputowski L., Kucharski R., Zając M., Rudziński M., Kudrawiec R., Strupinski W., Misiewicz J,. 2011. Ammonothermal GaN substrates: Growth accomplishments and applications. Physica Status Solidi A 208, 1489-1493.
  • Grzegory I., Krukowski S., Leszczyński M., Perlin P., Suski T., Porowski S., 2001, The application of high pressure in physics and technology of III-V nitrides. Acta Physica Polonica A (Suppl.) 100, 57-109.
  • Grzegory I., Bockowski M., Perlin P., Skierbiszewski C., Suski T., Sarzynski M., Krukowski S., Porowski S., 2013. The homoepitaxial challenge: GaN crystals grown at high pressure for laser diodes and laser diode arrays. [W:] III-Nitride Semicondicors and their Moder Devices. Gil B. (red.). Oxford University Press, Oxford, 18-77.
  • Haase M. A., Qui J., Depuydt J. M., Cheng H., 1991. Blue-green laser diodes. Appl. Phys. Lett. 59, 1272-1274.
  • Kafar A., Stańczyk S., Targowski G., Oto T., Makarowa I., Wisniewski P., Suski T., Perlin P., 2013. High-Optical-Power InGaN Superluminescent Diodes with j-shape Waveguide. Appl. Phys. Expr. 6, 092102.
  • Karpiński J., Jun J., Porowski S., 1984 Equilibrium pressure of N2 over GaN and High Pressure Solution Growth of GaN. J. Crystal Growth 66, 1-10.
  • Maruska H. P.,Tietjen J. J., 1969. Preparation and properties of vapor-deposited single-crystalline GaN. Appl. Phys. Lett. 15, 327-329.
  • Nakamura S., 1991. Growth Using GaN Buffer Layer.Jap. J. Appl. Phys. 30, L1705-L1707.
  • Nakamura S., Mukai T., Senoh M., Iwasa N., 1992a. Thermal Annealing Effect on P-Type Mg-Doped GaN films.Jap. J. Appl. Phys. 31, L139-L142.
  • Nakamura S., Iwasa N., Senoh M., Mukai T., 1992b. Hole Compensation Mechanism of P-Type GaN films.Jap. J. Appl. Phys. 31, 1258-1266.
  • NakamuraS., Senoh T., Mukai T, 1993. P-GaN/N-InGaH/N-GaN Double Heterostructure Blue Light Emitting Diodes. Jap. J. Appl. Phys. 32, L8-L11.
  • NakamuraS., Senoh T., Iwasa N., Nagahama S.-I., 1995. High Brightness Blue, Green and Yellow Light Emitting Diodes. Jap. J. Appl. Phys. 34, L797.
  • Nakamura S., Senoh M., Nagahama S.-I., Iwasa N., Yamada T., Matsushita T., Kiyoku H., Sugimoto Y., 1996. InGaN-Based multi-Quantum-Well-Structure laser Diodes.Jap. J. Appl. Phys. 35, L75-L76.
  • NakamuraS., Fasol G., Pearton S. J., 2000. The Blue Laser Diodes. Springer, New York.
  • Nobel Prize 2014 http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/2014/.
  • Pankove J. I., Nelson H.,Tietjen J. J., Hegyi I. J., Maruska H. P., 1967. GaAs1-XPX injection lasers. RCA Rev. 28, 560.
  • Perlin P., Marona L., Holz K., Wiśniewski P., Suski T., Leszczyński M., Czernecki R., Najda S., Zajac M. Kucharski R., 2011. InGaN laser Diode Mini-Arrays. Appl. Phys. Exp. 4, 062103.
  • Skierbiszewski C., Siekacz M., Turski H., Muzioł G., Sawicka M., Perlin P., Wasilewski Z. R., Porowski S., 2013. MBE fabrication of III-N-based laser diodes and its developmen to industrial system. J. Crystal Growth 378, 278-282.
  • Sochacki T., Bryan Z., Amilisik M., Colazzo R., Łucznik B., Weyher J. L., Nowak G., Sadovyi B., Kamler G., Kucharski R., Zając M., Doradziński R., Dwilinski R., Utsumi W., Saitoh H., Kaneko H., Watanuki T., Aoki K., Shimomura O., 2003. Congruent melting of gallium nitride at 6 GPa and its application to single-crystal growth. Nat. Mat. 2, 735.0
Document Type
Publication order reference
Identifiers
YADDA identifier
bwmeta1.element.bwnjournal-article-ksv64p211kz
JavaScript is turned off in your web browser. Turn it on to take full advantage of this site, then refresh the page.