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2011 | 119 | 2 | 107-110
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Voltage Controlled Terahertz Transmission Enhancement through GaN Quantum Wells

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We report transmission measurements of GaN quantum well grown on sapphire substrate in the 220-325 GHz frequency band at low temperatures. A significant enhancement of the transmitted beam intensity with the applied voltage on the devices under test is found.
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  • Institut d'Electronique du Sud, UMR 5214 - CNRS/Université Montpellier 2, Pl. E. Bataillon, 34095 Montpellier, France
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  • Institut d'Electronique du Sud, UMR 5214 - CNRS/Université Montpellier 2, Pl. E. Bataillon, 34095 Montpellier, France
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  • Institut d'Electronique du Sud, UMR 5214 - CNRS/Université Montpellier 2, Pl. E. Bataillon, 34095 Montpellier, France
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  • Institut d'Electronique du Sud, UMR 5214 - CNRS/Université Montpellier 2, Pl. E. Bataillon, 34095 Montpellier, France
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  • Institut d'Electronique du Sud, UMR 5214 - CNRS/Université Montpellier 2, Pl. E. Bataillon, 34095 Montpellier, France
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  • Institut d'Electronique du Sud, UMR 5214 - CNRS/Université Montpellier 2, Pl. E. Bataillon, 34095 Montpellier, France
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  • Institut d'Electronique du Sud, UMR 5214 - CNRS/Université Montpellier 2, Pl. E. Bataillon, 34095 Montpellier, France
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  • Institut d'Electronique du Sud, UMR 5214 - CNRS/Université Montpellier 2, Pl. E. Bataillon, 34095 Montpellier, France
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  • Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, UPR 10 - CNRS, R. Bernard Grégory, 06560 Valbonne, France
  • Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, UPR 10 - CNRS, R. Bernard Grégory, 06560 Valbonne, France
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  • LUMILOG, 2720, Ch. Saint Bernard Les Moulins I, 06220 Vallauris, France
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  • LUMILOG, 2720, Ch. Saint Bernard Les Moulins I, 06220 Vallauris, France
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  • Semiconductor Physics Institute, A. Gostauto 11, 2600 Vilnius, Lithuania
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  • Semiconductor Physics Institute, A. Gostauto 11, 2600 Vilnius, Lithuania
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  • Semiconductor Physics Institute, A. Gostauto 11, 2600 Vilnius, Lithuania
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